[发明专利]微电机的制造方法无效
| 申请号： | 200410068471.2 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1572715A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山本雄一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H03J5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微电机的制造方法，该微电机具有在第一和第二电极之间间隙，在该制造方中，在衬底上形成第一电极，并接着在其表面上形成停止膜。其次，形成第二绝缘膜，以覆盖停止膜。第二绝缘膜的厚度比第一电极和停止膜的总厚度大。接着，抛光第二绝缘膜。通过抛光，停止膜暴露于外边，并被平面化。在停止膜中形成开口之后，在开口中埋入牺牲膜。平面化牺牲膜和第二绝缘膜的表面，并在第二绝缘膜上形成第二电极，以横过牺牲膜。通过除去牺牲膜在第一和第二电极之间形成间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 微电机 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微电机的制造方法，包括以下步骤：在一衬底上形成在一表面上具有一停止膜的一第一电极；在所述衬底上形成一绝缘膜，达到比包含所述停止膜的所述第一电极的厚度大的一厚度，以覆盖所述第一电极；抛光所述绝缘膜，以将所述停止膜暴露于外边并平面化一抛光表面；在所述第一电极上的所述停止膜中形成一开口，接着，在所述开口中埋入一牺牲膜并用与平面化所述绝缘膜的表面相同的方法平面化所述牺牲膜的一表面；在所述绝缘膜上形成一第二电极，以横跨在所述牺牲膜上；和除去所述牺牲膜，以形成所述第一电极和所述第二电极之间的一间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410068471.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
