[发明专利]信息处理结构体无效
| 申请号： | 200410068521.7 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1604336A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 森江隆;岩田穆;永田真;山中登志夫;松浦知宏 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极电极(12)的正上方，形成纳米级大小的多个量子点(13)，在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息，构成为设置成电源的一个电源电极，使之与量子点接触，在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，设置2个信息电极(15)，使之与量子点接触，量子点与信息电极进行电容耦合，电子根据由信息电极决定的电位，利用库仑阻断现象通过量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。 | ||
| 搜索关键词： | 信息处理 结构 | ||
【主权项】：
1.一种信息处理结构体，该信息处理结构体是在MOSFET的栅极电极的正上方形成由多个纳米级大小的微小导电体或者微小半导体构成的第1量子点，在上述第1量子点与上述栅极电极之间，构成由电子或者空穴构成的电荷载体能够直接穿过的能量势垒，利用在上述第1量子点与上述栅极电极之间移动的电荷载体的总数来表示信息，特征在于：排列与上述第1量子点接触而与上述栅极电极不接触的至少由3个以上的微小导电体或者微小半导体构成的第2量子点，形成与该第2量子点排列两端的量子点接触来表示信息的信息电极，在上述第1量子点与上述第2量子点排列之间以及在该第2量子点排列与上述信息电极之间，以电荷载体不能够移动的电容结耦合，根据由上述信息电极决定的电位，改变上述第2量子点排列中电荷载体的位置分布，由此，控制在上述第1量子点与上述栅极电极之间电荷载体的移动。
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