[发明专利]分子束外延生长设备和控制它的方法

摘要

在使用组V材料(和/或组VI材料)的多个分子束的系统中，将旋转射线遮断器(8)等安装在这些多个组V分子束源发射管(5、6)(和/或组VI分子束源发射管)的相应发射器的前方；执行引起从相应的分子束源发射管(5、6)发射的分子束以周期方式被重复地阻断和发射的间断控制；以及受到间断控制的这分子束的相互同步引起以如晶体生长所需的充分数量或诸数量供应多个组V材料(和/或组VI材料)的相应的分子束，同时有效地控制晶体内的合金比例。

主权项

1.一分子束外延生长设备，它引起作为从多个分子束源发射管朝基底表面或多个表面的至少一个发射一个或多个分子束的结果、在一个或多个基底表面上的一个或多个晶体的生长，该分子束外延生长设备包括一个或多个控制机构：控制分子束的发射和/或阻断，从而引起来自多个分子束源发射管的至少一部分的分子束或诸射线的至少一个的间断发射；以及控制来自多个分子束源发射管的至少一部分的诸分子束的至少一部的发射和/或阻断，以便是相互基本同步和/或具有在诸分子束源发射管处的诸基本相同的周期。