[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410068577.2 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1577774A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明栅极一种半导体装置的制造方法。本发明的课题在于得到能适当地抑制因掺杂剂的穿透引起的阈值电压的变动的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于具备：(a)准备半导体衬底的工序；(b)在上述半导体衬底的主表面内有选择地形成元件隔离绝缘膜的工序；(c)在由上述元件隔离绝缘膜规定的元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面上经栅绝缘膜有选择地形成栅电极的工序；(d)在上述半导体衬底内导入氢离子或氘离子的工序；(e)在上述元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面内夹住上述栅电极形成成对的源、漏区的工序；以及(f)在上述源、漏区上形成金属－半导体化合物层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：(a)准备半导体衬底的工序；(b)在上述半导体衬底的主表面内有选择地形成元件隔离绝缘膜的工序；(c)在由上述元件隔离绝缘膜规定的元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面上经栅绝缘膜有选择地形成栅电极的工序；(d)在上述半导体衬底内导入氢离子或氘离子的工序；(e)在上述元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面内夹住上述栅电极形成成对的源、漏区的工序；以及(f)在上述源、漏区上形成金属-半导体化合物层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410068577.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
