[发明专利]制造凸出源漏MOSFET的方法以及由此制造的器件

摘要

本发明提供一种形成SOI MOSFET器件的方法，该SOIMOSFET器件具有形成在具有栅极叠层的电介质层上的硅层，栅极叠层侧壁上的侧壁间隔以及形成在硅层的表面上的凸出的源/漏区。栅极叠层包括在栅极电介质层上面由多晶硅形成的栅极，所述栅极电介质层形成在所述硅层的表面上。电介质材料的塞形成在栅多晶硅上面帽层中的缺口中。栅极的侧壁覆盖侧壁间隔，侧壁间隔覆盖一部分塞，以便消除栅多晶硅的暴露，从而避免在形成凸出源/漏区形成期间的假外延生长。

主权项

1.一种形成SOI MOSFET器件的方法，该SOI MOSFET器件具有形成在具有栅极叠层的电介质层上的硅层；栅极叠层侧壁上的侧壁间隔以及形成在硅层的表面上的凸出的源/漏区，其中栅极叠层包括在栅极电介质层上面由多晶硅形成的栅极，所述栅极电介质层形成在所述硅层的表面上，所述方法包括如下步骤：在栅极层上面形成帽层；形成在所述多晶硅上的栅掩模，用于制成栅极的图案，所述掩模覆盖所述帽层的一部分，所述掩模具有图案并具有周边；利用刻蚀工艺在栅掩模的图案中刻蚀所述帽层，该刻蚀工艺在所述掩模周边的下面的所述帽层以下底切，从而在掩模下的帽层中形成缺口；通过在所述栅掩模的所述图案中刻蚀，从而形成电极叠层的图案；用电介质塞在所述栅多晶硅与侧壁间隔之间填充所述缺口，以便去除栅多晶硅的暴露部分；沿栅极侧壁直至所述塞接触所述栅多晶硅的高度以上形成所述侧壁间隔；以及在所述硅层的顶部从所述间隔侧边开始形成凸出的源区和凸出的漏区，由此避免了在形成凸出的源/漏区过程中形成假外延生长。