[发明专利]薄膜晶体管和利用该薄膜晶体管的有源矩阵平板显示器有效
| 申请号： | 200410068675.6 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1591146A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 姜泰旭;郑仓龙;任忠烈 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G09F9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸(CD)偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的一边缘部分由具有多重边缘锥角的多重剖面组成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 利用 有源 矩阵 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管包括：一有源传导层、一源极区和一漏极区；一绝缘于有源传导层的栅传导层，对该栅传导层构图以形成一栅电极；一绝缘层，被淀积在栅传导层上并且被图案化从而形成分别到源极区和漏极区的接触孔；一淀积在绝缘层上的金属传导层，形成一源电极、一漏电极和金属配线；和一形成在金属传导层上的钝化层，包括形成于钝化层上并且暴露了漏极区的一部分的一通路孔；其中该有源传导层、该栅传导层或该金属传导层中的一个或多个，包括至少一个具有多重边缘锥角的多重边缘部分剖面的传导材料层。
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