[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 200410068737.3 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1591681A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 持田宜晃 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当命令输入到半导体存储器时，相应于该命令将次级阈值电流减小至预定值。在完成减小次级阈值电流后，半导体存储器相应于该命令开始操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种应用分层I/O系统的半导体存储器，包括：用于所述分层I/O系统的次级放大器；和用于减小待输入至所述次级放大器的次级阈值电流的次级阈值电流减小电路，其中，响应于用于起动所述半导体存储器的存储单元阵列的命令，所述次级阈值电流减小电路减小所述次级阈值电流。
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