[发明专利]衰减相移掩模坯件和光掩模无效
| 申请号： | 200410068751.3 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1603948A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | H·贝克;U·布特格雷特;G·赫斯;O·戈茨伯格;F·施米特;F·索贝;M·伦诺;S·J·彻伊 | 申请（专利权）人： | 肖特股份有限公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;马崇德 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于平版印刷术的衰减相移掩模坯件，制造这种掩模坯件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 相移 掩模坯件 光掩模 | ||
【主权项】：
1.用于平版印刷术的衰减相移掩模，其包含基片和在所述基片的一个表面上的薄膜系统；所述薄膜系统包含：相移层，其包含相移控制次层和透射控制次层；所述相移掩模能生产在200纳米或以下波长的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，所述薄膜系统基本上不含具有0.5微米或以上粒度的缺陷。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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