[发明专利]氮化物半导体，半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成籽晶部分，及该籽晶部分的表面上具有多个开口部分的生长抑制层。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段在1040℃的生长温度下形成低温生长部分，并在第二阶段在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。

主权项

1.一种氮化物半导体，包括：由III-V族氮化物半导体构成的层状的第一籽晶部分；具有形成在所述第一籽晶部分的表面上的多个开口部分的生长抑制层；由III-V族氮化物半导体构成，通过所述生长抑制层的开口部分从所述第一籽晶部分生长的层厚方向的断面是三角形或梯形形状，且互相间隔的多个第二籽晶部分；以及由III-V族氮化物半导体构成，基于所述多个第二籽晶部分从所述第二籽晶部分的两侧面生长，且在埋入所述多个第二籽晶部分间的同时，具有和所述第二籽晶部分大致相同厚度的半导体层，其中，籽晶中的位错在所述第二籽晶部分和所述半导体层的界面弯曲。