[发明专利]利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器无效

专利信息
申请号: 200410069100.6 申请日: 2004-07-20
公开(公告)号: CN1724983A 公开(公告)日: 2006-01-25
发明(设计)人: 吕惠宾;黄延红;何萌;刘立峰;周岳亮;金奎娟;陈正豪;程波林;杨国桢 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J11/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 王凤华
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一掺铌钛酸锶衬底上,和在其上外延生长的掺杂锰酸镧薄膜层,形成掺铌钛酸锶—掺杂锰酸镧氧化物异质结;或者在掺铌钛酸锶单晶衬底上外延生长一绝缘层,掺杂锰酸镧薄膜外延生长在绝缘层上,形成掺铌钛酸锶—绝缘层—掺杂锰酸镧氧化物异质结;第一电极设在掺杂锰酸镧薄膜上,第二电极设在底上,两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接,电极引线的另一端是信号输出端。当光照射激光探测器后直接产生电压信号,不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外,可响应飞秒脉宽的激光脉冲,激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1.5ns,半宽度小于2ns,脉冲全宽度仅为几个ns。
搜索关键词: 利用 氧化物 异质结 材料 制作 响应 宽频 激光 探测器
【主权项】:
1.一种利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一由在掺铌钛酸锶单晶衬底(1)上,外延生长的光响应材料层(2)作成的芯片,第一电极(3)、第二电极(4)和引线(6);其特征在于:所述的光响应层为外延生长在掺铌钛酸锶单晶衬底(1)上的掺杂锰酸镧薄膜层(2);第一电极(3)设置在掺杂锰酸镧薄膜(2)上,第二电极(4)设置在掺铌钛酸锶单晶衬底(1)上,两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接,电极引线(6)的另一端是信号输出端。
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