[发明专利]用于静电放电保护电路的高电压元件及高电压元件

摘要

本发明是关于一种用于静电放电保护电路的高电压元件及高电压元件。该用于静电放电保护电路的高电压元件，包括：第一型磊晶硅层，配置在第一型基底中；第一型井区，配置在第一型磊晶硅层中；第二型井区，配置在第一型磊晶硅层中，且第二型井区由一淡掺杂区与一浓掺杂区所构成，其中淡掺杂区与第一型井区邻接，而浓掺杂区位于部分的第一型井区与淡掺杂区的下方；闸极堆叠结构，配置在部分第一型井区与淡掺杂区上；第二型第一掺杂区与第二型第二掺杂区，分别配置在闸极堆叠结构两侧的淡掺杂区与第一型井区中；第一隔离结构，配置在淡掺杂区中，且位于闸极堆叠结构与第二型第一掺杂区之间；第一型掺杂区，配置在第一型井区中，且与第二型第二掺杂区邻接。

主权项

1、一种用于静电放电保护电路的高电压元件，其特征在于其包括：一第一型基底；一第一型磊晶硅层，配置在该第一型基底中；一第一型井区，配置在该第一型磊晶硅层中；一第二型井区，配置在该第一型磊晶硅层中，且该第二型井区是由一第二型淡掺杂区与一第二型浓掺杂区所构成，其中该第二型淡掺杂区与该第一型井区邻接，而该第二型浓掺杂区是位于部分该第一型井区与该第二型淡掺杂区的下方；一闸极堆叠结构，配置在该第一型井区与该第二型淡掺杂区的部分表面上；一第二型第一掺杂区与一第二型第二掺杂区，分别配置在该闸极堆叠结构两侧的该第二型淡掺杂区与该第一型井区中；一第一隔离结构，配置在该第二型淡掺杂区中，且位于该闸极堆叠结构与该第二型第一掺杂区之间；以及一第一型掺杂区，配置在该第一型井区中，且与该第二型第二掺杂区邻接。