[发明专利]一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置无效

专利信息
申请号: 200410069190.9 申请日: 2004-07-07
公开(公告)号: CN1718559A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 孙国胜;王雷;赵万顺;曾一平;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置,特别涉及一种基于铜螺旋管射频加热的竖直式冷壁高温大功率碳化硅(SiC)外延材料制造装置。该装置,包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀,其双层石英外延生长室、插板隔断阀、样品交接室、波纹管调节器、以及样品传递与支撑架上下依次连接在一条垂直轴线上;样品传递与支撑架位于共同垂直轴线上。本发明采用了竖直结构的水冷双层石英生长室,具有轴对称性,易于控制气流状态,加热效率高,不发生辉光现象;且可扩展性强,通过增大石英管的直径,可以外延生长尺寸更大或小尺寸多片的碳化硅(SiC)外延材料。
搜索关键词: 一种 竖直 高温 大功率 碳化硅 外延 材料 制造 装置
【主权项】:
1、一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置,包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀,其中,样品传递与支撑架垂直设置,其上套设有波纹管调节器,样品传递与支撑架的下部通过法兰圈与波纹管调节器的下端口固接;波纹管调节器的上方又套设有样品交接室,波纹管调节器的上端口与样品交接室的下端口固接;样品交接室的上方又套设有插板隔断阀,样品交接室的上端口与插板隔断阀的下端口固接;插板隔断阀的上方再套设有双层石英外延生长室,插板隔断阀的上端口与双层石英外延生长室的下端口固接;样品传递与支撑架的上部位于双层石英外延生长室的容腔内,样品传递与支撑架的顶端位于双层石英外延生长室的容腔中心处;双层石英外延生长室内有石墨感应加热器,石墨感应加热器水平设置,其下表面中心与样品传递与支撑架的顶端相接;双层石英外延生长室外周圆中部围有一铜螺旋管加热线圈,铜螺旋管加热线圈与生长室外壁之间有一定间隙;其特征在于:双层石英外延生长室、插板隔断阀、样品交接室、波纹管调节器、以及样品传递与支撑架上下依次连接在一条垂直轴线上;样品传递与支撑架位于共同垂直轴线上。
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