[发明专利]用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法无效
| 申请号： | 200410069247.5 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1588616A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 臧竞存;邹玉林;迟静;何斌;翟琳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成为制备高质量ZnO薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和ScAlMgO4 (0001)，或因晶格失配率高，或因成分相差太大，造成薄膜晶体结构缺陷大量存在。本发明特征在于，它包括以下步骤：生长出位错密度低于400/cm2钨酸锌单晶；将上述钨酸锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；加工(100)晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；制备ZnO薄膜。本发明采用溶胶凝胶法制备的氧化锌薄膜具有特别优良的结构特性，表面平滑，取向性好，发光性能良好，光致发光波长396nm，如图所示；易于ZnO薄膜取向，并垂直(0001)晶面沿c方向生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 氧化锌 薄膜 钨酸锌单晶 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：1.按照公知技术生长出位错密度低于400/cm2钨酸锌单晶；2.按照公知技术将上述钨酸锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；3.按照公知技术加工(100)晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；4.按照公知技术制备ZnO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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