[发明专利]绝缘膜上硅(SOI)晶片上接触区的制造方法有效

专利信息
申请号: 200410069268.7 申请日: 2004-07-15
公开(公告)号: CN1610058A 公开(公告)日: 2005-04-27
发明(设计)人: 侯全评;章勋明;陈盈和;曾同庆 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明的半导体装置的制造方法提供一种具有上表面的中间结构,隔离沟道形成于中间结构上并且在中间结构上沉积绝缘材料,其中绝缘材料填入隔离沟道,多余的绝缘材料高于中间结构的上表面,去除一部分多余的绝缘材料,直至在中间结构的上表面形成一预定的绝缘材料厚度。然后在位于隔离沟道的绝缘材料中形成一接触开口,其中接触开口延伸至至少一部分的中间结构。然后将接触材料沉积在绝缘材料上,其中接触材料填入接触开口。接着去除多余的接触材料,其中多余的接触材料高于绝缘材料。最后去除多余的绝缘材料,直至暴露出中间结构的上表面。
搜索关键词: 绝缘 膜上硅 soi 晶片 接触 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,至少包含下列步骤:提供一中间结构,具有一上表面,其中一隔离沟道位于该中间结构;在该中间结构上沉积绝缘材料,其中该绝缘材料填入该隔离沟道中并且多余的该绝缘材料高于该中间结构的该上表面;去除多余的该绝缘材料直至在该中间结构的该上表面形成一预定的该绝缘材料厚度;在位于该隔离沟道的该绝缘材料中形成一接触开口,其中该接触开口延伸至至少一部分的该中间结构;在该绝缘材料上沉积接触材料,其中该接触材料填入该接触开口;去除多余的该接触材料,其中多余的该接触材料高于该绝缘材料;以及去除多余的该绝缘材料,直至暴露出该中间结构的该上表面。
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