[发明专利]在解理面上制作半导体纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200410069295.4 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1725436A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陈涌海;张春玲;崔草香;徐波;金鹏;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L33/00;H01S5/34;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 解理 面上 制作 半导体 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410069295.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多发射通信系统中的导频符号传输
- 下一篇：高碳钢盘条生产工艺技术
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
