[发明专利]铜内连线的制作方法有效
申请号: | 200410069307.3 | 申请日: | 2004-07-16 |
公开(公告)号: | CN1630060A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
发明(设计)人: | 余振华;曾鸿辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/3205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种铜内连线的制作方法。首先,提供一半导体基底。接着,形成一介电层于上述半导体基底表面。接着,形成一开口于上述介电层内。然后,填充一含铜材质于上述开口内。接着,形成一硅层于上述含铜材质表面。最后,使上述硅层与上述含铜材质相互反应,以形成一铜化硅层覆盖于上述含铜材质表面。 | ||
搜索关键词: | 连线 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜内连线的制作方法,其特征在于包括:提供一半导体基底;形成一介电层于上述半导体基底表面;形成一开口于上述介电层内;填充一含铜材质于上述开口内;形成一硅层于上述含铜材质表面;以及上述硅层与上述含铜材质相互反应,形成一铜化硅层覆盖于上述含铜材质表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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