[发明专利]用于制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 200410069463.X | 申请日： | 2004-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1574235A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 梶山启一;小田中健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/301;H01L21/304;B28D5/00;B24B37/04;B24B1/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过把具有以网格状形式形成在正面的多个道的半导体晶片分割成单个半导体芯片以及把用于管芯接合的粘结薄膜附着到单个半导体芯片的背面而制造半导体芯片的方法，它包括分割槽形成步骤，用于从半导体晶片的正面沿着道形成具有预定的深度的分割槽；保护性元件附着步骤，用于把保护性元件附着到其上形成分割槽的半导体晶片的正面；分割槽暴露步骤，用于通过研磨半导体晶片的背面，使得分割槽暴露于背面，以便把半导体晶片分割成单个半导体芯片；粘结薄膜附着步骤，用于把粘结薄膜附着到被分割成单个的半导体芯片的背面；以及粘结薄膜切割步骤，用于把激光束从粘结薄膜的正面一侧沿着分割槽加到被附着在被分割成单个的半导体芯片的背面的粘结薄膜，以便沿着分割槽切割粘结薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过把具有以网格状形式形成在正面的多个道和在由该多个道分开的多个区域中形成的电路的半导体晶片分割成单个半导体芯片以及把用于管芯接合的粘结薄膜附着到单个半导体芯片的背面来制造半导体芯片的方法，包括：分割槽形成步骤，用于从半导体晶片的正面沿着道形成具有预定深度的分割槽；保护性元件附着步骤，用于把保护性元件附着到其上形成有分割槽的半导体晶片的正面；分割槽暴露步骤，用于通过研磨半导体晶片的背面，使得分割槽暴露于背面，以便把半导体晶片分割成单个半导体芯片；粘结薄膜附着步骤，用于把粘结薄膜附着到被分割成单个的半导体芯片的背面；以及粘结薄膜切割步骤，用于把激光束从粘结薄膜的正面一侧沿着分割槽施加到被附着在被分割成单个的半导体芯片的背面的粘结薄膜，以便沿着分割槽切割粘结薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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