[发明专利]光致抗蚀剂组合物

摘要

本发明公开光致抗蚀剂组合物、使用该组合物形成光致抗蚀剂图案的方法、及通过该方法制备的半导体器件。该负型光致抗蚀剂组合物包含具有聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物及作为交联剂的三聚氰胺衍生物，其防止所形成的光致抗蚀剂图案在小于50nm厚度下塌陷。因此，所公开的负型光致抗蚀剂组合物可使用于光刻法，尤其是使用EUV(远紫外，13nm)的方法中。

主权项

1.一种光致抗蚀剂组合物，其包含含有通式1所示的聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物、通式2所示的交联剂、光酸产生剂及有机溶剂：[通式1][通式2]其中R₁、R₂和R₃独立为氢或甲基；R₄为直链或支链C₁-C₁₀亚烷基；R₅为遇酸不稳定的保护基；R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、及R₁₁独立为直链或支链C₁-C₁₀烷基或C₁-C₁₀烷氧基；且a∶b∶c＝30-60mol％∶20-50mol％∶5-30mol％。