[发明专利]低功率快擦写存储单元及方法

摘要

本发明的目的是降低快擦写存储单元的编程电压。提供了形成快擦写存储单元的方法。该方法包括：在衬底上形成第1多晶硅层的工序；通过第1多晶硅层，直至衬底中形成沟槽的工序；向沟槽中填充氧化物层的工序；在氧化物上堆积第2多晶硅层的工序。得到的结构可进行平面化。高k电介质层可堆积在第1多晶硅层上。第3多晶硅层堆积在高k电介质层上，利用光刻胶形成图形，形成快擦写存储栅极结构。形成图形过程中，露出的第2多晶硅层被蚀刻。结束除去第2多晶硅层时，检测蚀刻停止。残留下第1多晶硅层的薄层，然后利用选择性蚀刻法小心除去。可对高k电介质层形成图形，使非存储晶体管的形成成为可能。

主权项

1.快擦写存储单元的制造方法，包括：以重叠在衬底上的方式，按隧道氧化物层位于该衬底与该第1多晶硅层之间的方式形成具有底面及上面的第1多晶硅层的工序；通过该第1多晶硅层，直至该衬底中形成沟槽的工序；以重叠在该衬底上的方式，按直至该沟槽内的该场氧化物层的该上面比该第1多晶硅层的该底面还高的厚度，形成具有上面的场氧化物层的工序；以重叠在该场氧化物层上的方式，按直至该沟槽内的该第2多晶硅层的该上面比该第1多晶硅层的该上面还低的厚度，形成具有上面的第2多晶硅层的工序；在该第2多晶硅层上形成牺牲氧化物层的工序；将该第2多晶硅层、该场氧化物层及该第1多晶硅层平面化的工序；在该第1多晶硅层的该上面及该第2多晶硅层的该上面处，停止该平面化工序的工序；以重叠在该第1多晶硅层上的方式，堆积高k介电材料的工序；与以重叠在该高k介电材料上的方式，堆积第3多晶硅层的工序。