[发明专利]具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法

摘要

一种EEPROM器件，包括：用于限定多个有源区的器件隔离层，延伸横跨有源区的一对控制栅极图形，以及延伸横跨有源区并插入在控制栅极图形之间的一对选择栅极图形。在控制栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成浮置栅极图形。在选择栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成下栅极图形。栅极间电介质图形设置在控制栅极图形和浮置栅极图形之间，伪电介质图形设置在选择栅极图形和下栅极图形之间。伪电介质图形基本平行于选择栅极图形，并且和选择栅极图形的一条侧壁对准以叠盖选择栅极图形的预定宽度。

主权项

1、一种非易失性存储器件，包括：在半导体衬底中用于限定多个有源区的器件隔离层；延伸横跨有源区的一对控制栅极图形；在成对的控制栅极图形之间延伸横跨有源区的一对选择栅极图形；在控制栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成的浮置栅极图形；以及在选择栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成的下栅极图形；分别设置在对应的控制栅极图形之一和对应的浮置栅极图形之一之间的栅极间电介质图形；以及分别设置在对应的选择栅极图形之一和对应的下栅极图形之一之间的伪电介质图形，伪电介质图形的每条侧壁和选择栅极图形的一条侧壁对准并叠盖选择栅极图形的预定宽度，伪电介质图形的每条所述侧壁面对对应的一对控制栅极图形之一。