[发明专利]包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜无效
| 申请号： | 200410069858.X | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1576299A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李相均;宣钟白 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/48 | 分类号： | C08G77/48;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 烷基 树脂 使用 半导体器件 间层 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种硅氧烷基树脂，所述硅氧烷基树脂是在酸或碱性催化剂和水存在下，在有机溶剂中通过水解和缩聚通式1的第一单体和通式2的第二单体制备的：通式1![]()
其中，R1是氢原子、C1-3烷基或C6-15芳基；X1，X2和X3各自独立地是C1-3烷基、C1-10烷氧基或卤素原子，条件是它们中的至少一个可水解；m是0-10的整数；和p是3-8的整数，和通式2(R2)4-aGe(X4)a其中，R2是氢原子、C1-3烷基或C6-15芳基；X4是C1-10烷氧基或卤素原子；和a是1-4的整数。
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