[发明专利]微开关元件的制备方法及微开关元件有效

专利信息
申请号: 200410069883.8 申请日: 2004-07-15
公开(公告)号: CN1661769A 公开(公告)日: 2005-08-31
发明(设计)人: 中谷忠司;宫下勉 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01H11/00;B81B5/00;H01L29/00;H01H59/00;B81B7/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 经志强;臧建明
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜,一活动接触电极以及一活动驱动电极,活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极,其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤,以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。
搜索关键词: 开关 元件 制备 方法
【主权项】:
1、一种制造微开关元件的方法,该开关元件包括:一第一衬底;一对支撑构件,彼此分离并固定到该衬底;一活动梁,包括桥接在所述支撑构件之间的一隔膜,设置在该隔膜上的一活动接触电极以及设置在该隔膜上的一活动驱动电极;一对固定接触电极,排列为面向该活动接触电极;以及一固定驱动电极,与该活动驱动电极一起用于产生静电力;该方法包括:牺牲层形成步骤,用于在该衬底上制造一牺牲层;隔膜形成步骤,用于在该牺牲层上制造该隔膜;支撑构件形成步骤,用于通过该隔膜介入,蚀刻该牺牲层,以便在该衬底和该隔膜之间的牺牲层的剩余部分形成所述支撑构件。
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