[发明专利]微开关元件的制备方法及微开关元件有效
申请号: | 200410069883.8 | 申请日: | 2004-07-15 |
公开(公告)号: | CN1661769A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
发明(设计)人: | 中谷忠司;宫下勉 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01H11/00;B81B5/00;H01L29/00;H01H59/00;B81B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 经志强;臧建明 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜,一活动接触电极以及一活动驱动电极,活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极,其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤,以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。 | ||
搜索关键词: | 开关 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造微开关元件的方法,该开关元件包括:一第一衬底;一对支撑构件,彼此分离并固定到该衬底;一活动梁,包括桥接在所述支撑构件之间的一隔膜,设置在该隔膜上的一活动接触电极以及设置在该隔膜上的一活动驱动电极;一对固定接触电极,排列为面向该活动接触电极;以及一固定驱动电极,与该活动驱动电极一起用于产生静电力;该方法包括:牺牲层形成步骤,用于在该衬底上制造一牺牲层;隔膜形成步骤,用于在该牺牲层上制造该隔膜;支撑构件形成步骤,用于通过该隔膜介入,蚀刻该牺牲层,以便在该衬底和该隔膜之间的牺牲层的剩余部分形成所述支撑构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造