[发明专利]磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200410069969.0 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1598609A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种磁传感器及其制造方法，该磁传感器包括衬底、自旋阀型的磁电阻元件、偏磁层(或者永磁体膜)和保护膜，其中偏磁层与磁电阻元件的两端连接，在磁电阻元件的两端偏磁层的上表面被磁电阻元件的下表面完全覆盖。在这里，从保护膜方向看，磁电阻元件两端的侧面和偏磁层侧面之间的距离不超过3微米。此外，偏磁层的一部分可以被磁电阻元件的两端覆盖，并且一中间层设置为与磁电阻元件、偏磁层和保护膜相连以便完全覆盖偏磁层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁传感器，包括：多个磁电阻膜，以彼此实质上平行的方式分布，各磁电阻膜具有类带形状；和多个永磁体膜，被分别配置在所述磁电阻膜的端部附近，其中所述永磁体膜被配置成以Z字形图案接合所述磁电阻膜，使得所述磁电阻膜的一端通过一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接，并且该磁电阻膜的另一端通过另一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接。
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