[发明专利]多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器在审
| 申请号： | 200410069995.3 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1588215A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 许建宙;许宗义 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基材包括第一部分与第二部分；分别形成第一非晶硅层与第二非晶硅层于上述第一部分与上述第二部分上，且该第一非晶硅层的厚度小于该第二非晶硅层的厚度；以及对该第一非晶硅层与该第二非晶硅层进行结晶处理，以同时形成第一多晶硅层与第二多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 与其 形成 方法 以及 平面 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅层结构，包括：一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层，其中该第一多晶硅层的厚度小于该第二多晶硅层的厚度，且该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸。
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