[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200410070242.4 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1581445A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 里吉务 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在两频率叠加施加方式中实现匹配电路的小型化及低造价。在该等离子体蚀刻装置中，上部电极(18)通过腔室(10)连接到接地电位(接地)，第一高频电源(40)(例如13.56MHz)及第二高频电源(42)(例如3.2MHz)分别通过第一和第二匹配器(36、38)电连接到下部电极(16)。低频率一侧的第二匹配器(38)由在最终输出部分具有线圈(62)的T型电路来构成，并可以兼用作用于遮断来自该线圈(62)上的第一高频电源(40)的高频(13.56MHz)的高频截止滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对在被处理基板上的铝、钛或含钛金属进行蚀刻，其特征在于，在可为真空的处理容器内与上部电极相对地配置的下部电极之上载置所述被处理基板，在所述上部电极和所述下部电极之间流入含有氯原子的气体或以其为主要成分的蚀刻气体，在所述下部电极上叠加并施加具有被设定在10MHz～30MHz的范围内的第一频率的第一高频和具有被设定在2MHz～6MHz的范围内的第二频率的第二高频。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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