[发明专利]场发射显示器的收敛型电子发射源及其制作方法无效
申请号: | 200410070309.4 | 申请日: | 2004-07-29 |
公开(公告)号: | CN1728910A | 公开(公告)日: | 2006-02-01 |
发明(设计)人: | 萧俊彦;杨镇在;郑奎文 | 申请(专利权)人: | 东元奈米应材股份有限公司 |
主分类号: | H05B33/26 | 分类号: | H05B33/26;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种场发射显示器的收敛型电子发射源及其制作方法,在制作时,先取一基板,利用厚膜微影或网印技术将银胶在该基板的表面形成第一电极层,再利用厚膜微影或网印技术将纳米碳管在该第一电极层表面上形成有第二电极层,再以厚膜微影或网印技术将银胶在该第一电极层表面并位于第二电极层周边形成第三电极层,该第三电极层高于第二电极层的周边内径形成一收敛出口,再利用烧结技术将其固着。在电子发射源产生电子束时,该电子束会向收敛出口中间集中而射向阳极结构的荧光粉体层发光,而不会产生溢色现象。 | ||
搜索关键词: | 发射 显示器 收敛 电子 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种场发射显示器的收敛型电子发射源制作方法,其特征在于,所述方法包括:a)先取一基板;b)利用厚膜微影技术在所述基板的表面形成第一电极层;c)然后利用厚膜微影技术在所述第一电极层上形成第二电极层;d)再利用厚膜微影技术在所述第一电极层表面,并位于第二电极层周边形成第三电极层,所述第三电极层高于第二电极层的周边内径形成一收敛出口;待所述第三电极层制作完成后,利用烧结技术将其固着。
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