[发明专利]耐等离子体构件有效
| 申请号： | 200410070358.8 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1576257A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 小林庆朗;市岛雅彦;横山优 | 申请（专利权）人： | 东芝陶瓷股份有限会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/50;H01L21/3065;H01L21/205;C23F4/00;B01J19/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Y2O3制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为10μm或大于10μm，并且涂层的Y2O3含有在100ppm－1000ppm范围内的固溶体Si。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 构件 | ||
【主权项】：
1.一种耐等离子体构件，包括：一种基底材料；及一种用Y2O3制成的涂层，所述涂层形成在所述基底材料的一个表面上，其中所述涂层具有10μm或10μm以上的厚度，及所述涂层的Y2O3含有在100ppm-1000ppm范围内的固溶体Si。
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