[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族高亮度复合颜色或者白光的发光二极管

摘要

本发明揭示III－V族高亮度复合颜色或者白光的发光二极管(LED)，该发光二极管发射白光的原理是发射出蓝光和黄光两束互补光或者发出近似于太阳光的光谱。具体实施实例之一是使用(铝x镓1－x)y铟1－y磷z氮1－z[(Al.sub.xGa.sub.1－x).sub.yIn.sub.1－yP.sub.zN.sub.1－z]作为发光层材料。本发明同时揭示低成本高产能的批量生产功率型高亮度复合颜色或者白光的半导体发光二极管芯片的方法：在晶片水平，使用晶片倒扣焊技术将外延晶片键合到一个导电导热的支持衬底上，剥离生长衬底，层叠具有优化的图形的电极(使得电流堵塞现象减小，电流分布均匀，电压减低，电流增大，抗静电性能提高)，所以生产成本低，产能高，功率型高亮度复合颜色或者白光的半导体发光二极管芯片具有优良的导热性能和光取出效率。

主权项

1.一个高亮度复合颜色或白光的半导体发光二极管(LED)，包括，但不限于：一个外延生长衬底；一个外延层，包括，但不限于，(a)生长在所述的外延生长衬底上的第一类型限制层，第一类型限制层的材料是从一组材料中选出，这组材料包括，但不限于，硼x铝y镓z铟1-x-y-y磷u氮1-u[B.sub.xAl.sub.yGa.sub.zIn.sub.1-x-y-zP.sub.uN.sub.1-u]，其中0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z＜1，x+y+z≤1，0≤u＜1，(b)生长在所述的第一类型限制层上的第一发光层，所述的第一发光层的材料是从一组材料中选出，这组材料包括，但不限于，(铝x镓1-x)y铟1-y磷z氮1-z[(Al.sub.xGa.sub.1-x).sub.yIn.sub.1-yP.sub.z N.sub.1-z]，其中0≤x＜1，0＜y≤1，0≤z＜1，所述的第一发光层发出第一波长的光，(c)生长在所述的第一发光层上的第二发光层，所述的第二发光层的材料是从一组材料中选出，这组材料包括，但不限于，(铝x镓1-x)y铟1-y磷z氮1-z [(Al.sub.xGa.sub.1-x).sub.yIn.sub.1-yP.sub.z N.sub.1-z]，其中0≤x＜1，0＜y≤1，0＜z≤1，所述的第二发光层发出第二波长的光，(d)生长在所述的第二发光层上的第二类型限制层，所述的第二类型限制层的材料是从一组材料中选出，这组材料包括，但不限于，硼x铝y镓z铟1-x-y-z磷u氮1-u[B.sub.xAl.sub.yGa.sub.zIn.sub.1-x-y-zP.sub.uN.sub.1-u]，其中0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z＜1，x+y+z≤1，0≤u≤1，；一个层叠在所述的第一类型限制层的暴露的部分上的第一电极；一个层叠在所述的第二类型限制层上的第二电极。