[发明专利]准同轴传输线无效
| 申请号： | 200410070456.1 | 申请日： | 2004-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1645668A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘易斯·R·达夫;约翰·F·凯西 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/06 | 分类号： | H01P3/06;H01P3/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种准同轴传输线。在电介质层上沉积多个导线，所述电介质层位于第一接地屏蔽上方。然后，在每一导线上面沉积电介质堆。此后，第二接地屏蔽被沉积在所述电介质堆上面。准同轴传输线因此形成。沉积在所述电介质堆“下面”的所述导线可以以比密封在电介质堆“内部”的导线更大的密度沉积。例如，通过所述电介质层中的导电过孔来耦合所述第一和第二接地屏蔽，可以提供所述导线的额外的屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 传输线 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：a)电介质层；b)多个导线；c)多个电介质堆，其中每个所述导线被密封在所述电介质层和相应的一个所述电介质堆之间；和d)位于所述电介质层下方的第一接地屏蔽，以及位于所述电介质堆上方的第二接地屏蔽。
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