[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其修补方法有效

专利信息
申请号: 200410070526.3 申请日: 2004-08-03
公开(公告)号: CN1570745A 公开(公告)日: 2005-01-26
发明(设计)人: 来汉中 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;H01L29/786
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种薄膜晶体管阵列基板主要是由一基板、多个扫描配线、多个资料配线、多个薄膜晶体管、多个画素电极、多个共用配线及一图案化上电极所构成。其中,扫描配线及资料配线配置于基板上以区分出多个画素区域。薄膜晶体管分别位于各画素区域内,藉由对应的扫描配线与资料配线驱动。画素电极位于各画素区域内,与对应的薄膜晶体管电性连接。共用配线配置于基板上,每一个画素电极的部分区域是位于对应的共用配线的上方。图案化上电极包括多个子上电极,配置于每一个画素电极以及对应的共用配线之间,子上电极是与画素电极电性连接,适于与共用配线耦合形成一电容。其修补方式是移除与瑕疵电容中的子上电极对应的画素电极的部分区域,令瑕疵电容中的子上电极与对应的画素电极电性绝缘。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 修补 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于其包括: 一基板;多数个扫描配线,配置于该基板上;多数个资料配线,配置于该基板上,其中该些扫描配线与该些资料配线是区分出多数个画素区域;多数个薄膜晶体管,每一该些薄膜晶体管是位于该些画素区域其中之一内,其中该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线驱动;多数个画素电极,每一该些画素电极是位于该些画素区域其中之一内,以与对应之该些薄膜晶体管其中之一电性连接;多数个共用配线,配置于该基板上,且每一该些画素电极之部分区域是位于对应的该些共用配线其中之一的上方;以及一图案化上电极,配置于每一该些画素电极以及该些共用配线其中之一之间,其中该图案化上电极包括多数个子上电极,且每一该些子上电极的部分区域是分别与对应的该些画素电极其中之一电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410070526.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top