[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200410070531.4 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1606125A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 柳洵城;赵兴烈 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，能够简化基板结构和制造工艺。薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成栅极图案；在具有栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案，钝化膜图案的线宽窄于光刻胶图案的线宽；形成透明电极图案，所述透明电极图案从钝化膜图案的侧平面延伸并形成于不包括钝化膜图案的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成栅极图案；在形成栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上，形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案；形成一从钝化膜图案侧表面延伸且位于没有钝化膜图案的区域的透明电极图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
