[发明专利]设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410070564.9 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1581434A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 宫崎真纪;三本木省次 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种设计图形的制作方法，该方法具备如下的工序：准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序；求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序；根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量，求上述第1孔图形的扩大量的工序；制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 图形 光掩模 光刻 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设计图形的制作方法，具备：准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序；求上述第1孔图形与和第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序；根据上述距离、和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量，求上述第1孔图形的扩大量的工序；以及制作具有用上述扩大量把上述第1孔图形扩大后的第2孔图形的第2设计图形的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
