[发明专利]高介电常数膜的精确图案化有效
| 申请号： | 200410070826.1 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1581446A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 贾斯廷·K·布拉斯克;马克·L·多齐;马修·V·梅斯;约翰·巴纳科;保罗·R·马克沃斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数薄膜的精确图案化的方法，用于解决传统图案化技术中的结构和工艺限制。在形成与高介电常数电介质层相邻的栅极结构之后，高介电常数电介质层的一部分优选地通过暴露给氢气而被还原，以形成高介电常数电介质层的被还原部分。可以使用湿法刻蚀化学品选择性地去除被还原部分，以留下具有理想几何特征的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 精确 图案 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底材料层上形成高介电常数电介质材料层；在所述高介电常数电介质材料层上至少形成第一栅极和第二栅极，留出在所述第一和第二栅极之间的所述高介电常数材料的暴露的部分；将所述高介电常数电介质材料层的所述暴露部分暴露给氢气，来还原所述暴露部分，以从所述外露部分形成金属部分；通过将所述金属部分暴露给对所述金属部分具有选择性的湿法化学刻蚀剂，从所述高介电常数材料层去除所述金属部分，以形成沟槽；以及形成与所述第一栅极和所述第二栅极相邻的间隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
