[发明专利]包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法无效
| 申请号： | 200410070849.2 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1725920A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张建国;成步文;余金中;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H05B33/20 | 分类号： | H05B33/20;H05B33/14;H05B33/12;H05B33/10;C09K11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，包括：一p－型或n－型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一n－型或p－型多晶硅层，该n－型或p－型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和多晶硅层上；一电极，该电极制作在n－型或p－型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在p－型或n－型硅衬底上；在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 高效 发光 材料 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，其特征在于，包括：一p-型或n-型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在p-型或n-型硅衬底上，该掺杂层是在p-型或n-型硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一n-型或p-型多晶硅层，该n-型或p-型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和n-型或p-型多晶硅层上；一电极，该电极制作在n-型或p-型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在p-型或n-型硅衬底上；在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。
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