[发明专利]声表面波元件、声表面波设备、声表面波双工器和声表面波元件制造方法无效
| 申请号： | 200410070944.2 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1578131A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 中野正洋;苏武正树;大塚滋树;加贺谷康永 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个声表面波元件12包括一个由压电衬底上形成的单晶体铝组成的薄膜电极。由单晶体铝所组成的薄膜电极18中可分离出Cu，Ta，W和Ti等金属中的至少一种。在这个声表面波元件12中，Cu或类似的发生在薄膜电极18中。这样的分离有效g地减少在倒装片安装的超声波连接过程中压电衬底28上裂纹的出现。就是说，由于压电衬底28上裂纹的出现被减少，所以有利地提高了声表面波元件12中经受超声波振动的容许度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 元件 设备 双工器 和声 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波元件，它包括一个置于压电衬底上的由单晶体铝组成的薄膜电极，其中Cu、Ta、W和Ti中的至少一种金属在由单晶体铝组成的所述薄膜电极中分离出来。
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