[发明专利]具超浅接面漏极/源极延伸的半导体晶体管元件制作方法有效
| 申请号： | 200410070964.X | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1725454A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王俞仁;颜英伟;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具超浅接面漏极/源极延伸半导体晶体管元件的制作方法，包含有：提供一基底；于该基底上形成一栅极结构，其包含有两侧壁以及一上表面；于该栅极结构的侧壁上形成偏侧壁子；进行离子布植制程，于该栅极结构两侧的该基底形成超浅接面掺杂区域；于该栅极结构的偏侧壁子上以及其上表面沉积一衬垫层；于该衬垫层上沉积一侧壁子层；进行一应力修正布植制程，改变该侧壁子层的应力状态由伸张状态(tensile)改变至较为压缩(compressive)的状态；以及进行一干蚀刻制程，将该侧壁子层蚀刻成侧壁子。 | ||
| 搜索关键词： | 具超浅接面漏极 延伸 半导体 晶体管 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具超浅接面漏极/源极延伸半导体晶体管元件的制作方法，所述具超浅接面漏极/源极延伸半导体晶体管元件的制作方法包含有：提供一基底；于该基底上形成一栅极结构，其包含有两侧壁以及一上表面；于该栅极结构的侧壁上形成偏侧壁子；进行一离子布植制程，于该栅极结构两侧的该基底形成浅接面掺杂区域；于该栅极结构的偏侧壁子上以及其上表面沉积一衬垫层；于该衬垫层上沉积一侧壁子层；进行一应力修正布植制程，改变该侧壁子层的应力状态由伸张状态改变至较为压缩的状态；以及进行一干蚀刻制程，将该侧壁子层蚀刻成侧壁子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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