[发明专利]制造半导体器件的栅电极的方法无效
| 申请号： | 200410071013.4 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1577753A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 洪炳涉;吴在根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种于惰性气体或氮气环境中施行选择性氧化处理来制造用于半导体器件的加强的钨栅电极的方法。本发明的方法包含下列步骤：制备由预定程序得到的半导体衬底；于该半导体衬底上形成一栅极氧化物层；于该栅极氧化物层上形成一包含依序为多晶硅及钨的钨聚合金属栅电极；以及在含经惰性气体或氮气稀释的氢气(H2)的气体源环境中施行选择性氧化处理而在多晶硅的侧壁上形成选择性氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的栅电极的方法，包括下列步骤：a)制备由预定程序得到的半导体衬底；b)于该半导体衬底上形成一栅极氧化物层；c)于该栅极氧化物层上形成一包含依序为多晶硅及钨的钨聚合金属栅电极；以及d)在含经惰性气体稀释的氢气(H2)的气体源环境中施行选择性氧化处理而在多晶硅的侧壁上形成选择性氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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