[发明专利]利用推挽式控制芯片驱动双N－MOS的半桥式换流电路无效
| 申请号： | 200410071037.X | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1728525A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈振刚;王政雄 | 申请（专利权）人： | 联昌电子企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/538 | 分类号： | H02M7/538;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用推挽式控制芯片驱动双N－MOS的半桥式换流电路，可连接一驱动电路于常见半桥式换流电路，即可使用推挽式控制芯片进行控制半桥式换流电路，包括：一推挽式控制芯片，设有二输出端；一驱动电路，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片的二输出端，接受该推挽式控制芯片的控制；及一半桥式开关组件，由一第一N通道场效应晶体管与一第二N通道场效应晶体管组成，每一N通道场效应晶体管皆设有一控制端，该控制端连接于该驱动电路的二输出端，通过该驱动电路的驱动，用以将该直流电源切换为该交流电源，并传送至变压器的一次侧端。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 推挽式 控制 芯片 驱动 mos 半桥式 换流 电路 | ||
【主权项】：
1.一种利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，连接于一变压器的一次侧端，用以将一直流电源转换为一交流电源，包括有：一推挽式控制芯片，设有二输出端；一驱动电路，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片的二输出端，接受该推挽式控制芯片的控制；及一半桥式开关组件，由一第一N通道场效应晶体管与一第二N通道场效应晶体管组成，每一N通道场效应晶体管皆设有一控制端，该控制端连接于该驱动电路的二输出端，通过该驱动电路的驱动，用以将该直流电源切换为该交流电源，并传送至该变压器的一次侧端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联昌电子企业股份有限公司，未经联昌电子企业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410071037.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
