[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200410071071.7 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1581442A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/3213;C23F4/00;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可垂直或几乎垂直地各向异性蚀刻导电层的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含在半导体的上方形成绝缘层步骤；以及所述绝缘层上形成含有钽和氮化钽至少一种的导电层步骤；并且使用含有SiCl4和NF3及氧化物质气体蚀刻所述导电层步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体层的上方形成绝缘层；在所述绝缘层的上方，形成至少含有IVa，Va及VIa族金属以及这些金属氮化物中任意一种的导电层；以及使用含有SiCl4、NF3及氧系物质的气体蚀刻所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
