[发明专利]室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件无效
| 申请号： | 200410071151.2 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1589076A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 岳瑞峰;姚永昭;但亚平;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;H05B33/14;H05B33/26;H05B33/12;C09K11/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件，属于硅基光电子器件领域，包括采用透明材料作为衬底；在该透明衬底上由周期性淀积的两种高、低折射率材料薄膜相间隔组成的布拉格反射器；在该布拉格反射器之上淀积硅基电致发光层；该硅基电致发光层由依次淀积的透明正电极薄膜、p型a－SiCx:H薄膜和本征a－SiCx:H薄膜构成的p－i结发光结构，高反射率负电极四层结构组成。本发明采用全硅基材料，具有强室温电致发光、能精确控制荧光峰位、制作简易、成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 电致发光 硅基法布里 珀罗微腔 器件 | ||
【主权项】：
1、一种室温电致发光硅基法布里-珀罗微腔器件，包括采用透明材料作为衬底；其特征在于，在该透明衬底上由周期性淀积的两种高、低折射率材料薄膜相间隔组成的布拉格反射器；在该布拉格反射器之上淀积硅基电致发光层；该硅基电致发光层由依次淀积的透明正电极薄膜、p型a-SiCx:H薄膜和本征a-SiCx:H薄膜构成的p-i结发光结构，高反射率负电极四层结构组成。
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