[发明专利]在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统有效
| 申请号： | 200410071264.2 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1554989A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 城户秀作;饭尾善秀;池田雅树 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 环境 执行 曝光 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种将曝光处理气体喷射在箱体中设置的基片上的基片处理系统，所述基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由所述进气口导入所述小室的气体导入装置；将所述导入所述小室的曝光处理气体喷向所述基片的气体分配装置；其中所述气体分配装置可以在所述小室中沿着所述小室的上壁移动。
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