[发明专利]显示像素及其制造方法有效
申请号: | 200410071322.1 | 申请日: | 2004-07-19 |
公开(公告)号: | CN1588643A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 黄维邦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L51/20;H01L33/00;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/00;G09F9/33;G09G3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有较高开口率的显示像素及其制造方法,其中制造方法包括下列步骤:提供一基板;于基板的邻近部内同时形成一晶体管以及一电容器,其中电容器包括堆栈于基板上的分别具有粗糙表面的一第一导电层、一介电层以及一第二导电层;以及形成一有机发光二极管于邻近晶体管的一部分基板上,其中上述有机发光二极管的一阳极电性接触于该晶体管。 | ||
搜索关键词: | 显示 像素 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种显示像素的制造方法,包括下列步骤:提供一基板;于该基板的邻近部内同时形成一晶体管以及一粗糙型电容器(ruggedcapacitor),其中该粗糙电容器包括堆栈于该基板上分别具有粗糙表面的一第一导电层、一介电层以及一第二导电层;以及形成一有机发光二极管于邻近该晶体管的一部份基板上,其中该有机发光二极管的一阳极电性接触于该晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410071322.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种表达数据挖掘流程的方法
- 下一篇:双面显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的