[发明专利]金属层形成方法无效
| 申请号： | 200410071427.7 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1575099A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 神田勇一;安部高志;田中敦;二宗启介 | 申请（专利权）人： | 三菱伸铜株式会社;恩松株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;C23C28/02;B32B15/08;B32B15/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属层形成方法，包括：在塑料膜(1)的表面上通过干式镀覆法形成基底金属膜(4)的工序；将有机单体含有液与基底金属膜(4)接触，在缺陷孔(6)内选择性地形成导电性有机聚合物被膜，覆盖缺陷孔(6)内的工序。然后还可以在基底金属膜(4)上利用电解镀法形成金属膜，形成金属湿式镀层(10)。根据本发明形成一种可覆盖缺陷孔的厚度均匀、表面性能优异的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属层形成方法，是在绝缘体的表面上形成金属层的方法，其特征在于，包括以下工序：在所述绝缘体的表面利用干式镀覆法形成基底金属膜的工序：将所述绝缘体的形成有所述基底金属膜的表面与有机单体含有液接触，在所述基底金属膜的缺陷孔内的所述绝缘体表面上选择性地形成导电性有机聚合物被膜，覆盖所述缺陷孔内的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱伸铜株式会社;恩松株式会社，未经三菱伸铜株式会社;恩松株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410071427.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有机载智能装置的打印机模块
- 下一篇：新孢子虫减毒活疫苗
