[发明专利]抗铁磁材料膜和包括其的磁阻效应器件有效
| 申请号： | 200410071615.X | 申请日： | 1997-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1590580A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 山野辺尚;藤冈直美;石上隆;胜井信雄;福家广美;齐藤和浩;岩崎仁志;佐桥政司;渡辺高志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张晓威 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 抗铁磁 材料 包括 磁阻 效应 器件 | ||
【主权项】：
1、一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。
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