[发明专利]磁记录介质用衬底及其制造方法和磁记录介质无效

专利信息
申请号: 200410071638.0 申请日: 2004-07-15
公开(公告)号: CN1577510A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 石井政利;津森俊宏;大桥健 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种磁记录介质用衬底,优选提供一种具有不大于65mm直径的小直径衬底,其在物理特性和成本方面都具有优势。更具体地,本发明提供一种使用了之前经历过至少一次加热和/或腐蚀的单晶硅晶片的磁记录介质用衬底。此外,本发明提供一种制造磁记录介质用衬底的方法,该方法包括:取芯步骤,用于从经历过至少一次加热和/或腐蚀的直径至少为150mm和至多为300mm的单晶硅晶片上裁剪得到多个外径不大于65mm的环形衬底。所述方法优选地进一步包括倒棱步骤,用于将所述环形衬底内外圆周面上的棱除去;以及圆周面抛光步骤,用于抛光经过倒棱的内外圆周面。
搜索关键词: 记录 介质 衬底 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁记录介质用衬底,其包括之前经历过至少一次加热和/或腐蚀的单晶硅晶片。
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