[发明专利]制造磁记录介质衬底的方法无效

专利信息
申请号: 200410071640.8 申请日: 2004-07-15
公开(公告)号: CN1577512A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 石井政利;津森俊宏;大桥健 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种用于改善取芯步骤产率的方法。更具体地说,本发明提供了一种用于制造用作磁记录介质衬底的衬底的方法,其包括:取芯步骤,以从具有至少150mm和至多300mm直径的单晶硅晶片获得具有至多55mm直径的多个环形衬底,其中,取芯的执行使得不包括多个衬底的残余晶片保留在一片内。在所述取芯步骤中,优选使用激光切割或水喷射切割来执行取芯,使得所述残余晶片的所述表面的所述最小宽度是所述晶片厚度的1.5至2.5倍。
搜索关键词: 制造 记录 介质 衬底 方法
【主权项】:
1.一种用于制造磁记录介质的衬底的方法,该方法包括:取芯步骤,以从具有至少150mm和至多300mm直径的单晶硅晶片获得具有至多55mm外径的多个环形衬底,其中,取芯的执行使得不包括被取出的多个衬底的残余晶片保留在一片内。
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