[发明专利]等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法

摘要

本发明提供一种抑制界面状态产生的等离子体处理方法，尤其抑制由于界面状态的降低而导致固体摄像元件的暗电流的增加。利用等离子体CVD法在硅基板(1)上形成由氮化硅膜(10)构成的层间绝缘膜(10)，并且在这个层间绝缘膜(10)上，有选择地形成光致抗蚀剂层PR。利用加热处理使得光致抗蚀剂层PR的形状变圆。接着，将该光致抗蚀剂层PR作为掩膜，将碳氟化合物类气体作为蚀刻气体使用，对层间绝缘膜(10)进行等离子体蚀刻处理，从而形成微透镜(11)。为了抑制由在该等离子体蚀刻中产生的紫外线的影响而造成的硅—氧化硅膜界面的界面状态的增加，采用间歇地供给高频电力的脉冲时间调制等离子体法。

主权项

1.一种等离子体处理方法，是向真空容器内供给等离子体处理用气体，并向配置于该容器内的电极供给高频电力，以对被处理物体进行等离子体处理的方法，其特征在于，作为所述等离子体处理用气体，采用碳氟化合物类气体，并间歇地进行所述高频电力的供给。