[发明专利]发光二极管晶片改性工艺无效
申请号: | 200410071801.3 | 申请日: | 2004-09-03 |
公开(公告)号: | CN1588660A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 秦业钢;李连山;郝建钢;唐琍媚 | 申请(专利权)人: | 秦业钢;李连山 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐慰明 |
地址: | 300192天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 发光二极管晶片改性工艺。本发明是涉及发光二极管晶片的一种改性工艺方法。在发光二极管封装前,用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。经过辐照后的晶片制成的发光二极管比没有经过辐照的同种晶片制成的二极管的发光效率均有所提高,平均提高15%-30%。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 晶片 改性 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种发光二极管晶片改性工艺,其特征在于:在发光二极管封装前,用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。
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