[发明专利]阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法无效

专利信息
申请号: 200410072062.X 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1601772A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: 邹庆福;陈怡茹;赵叶勤 申请(专利权)人: 邹庆福;陈怡茹;赵叶勤
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L25/075
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 郑永康
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法,其主要是选用具高导热性的材料为一上基板的基材,再于上基板中成型有多个呈阵列式排列的凹槽及在凹槽的底部成型贯穿孔,再选用具高导热性的材料为一下基板的基材,并于下基板的表面成型预定的电路布局图案,再将上基板的底面固定于该下基板的表面,使各凹槽的贯穿孔分别对应电路布局图案的接触电极,再将多个发光二极管的晶粒分别固定于上基板的各凹槽的底部上,并利用贯穿孔使晶粒的二电极与接触电极完成电性连接,再以保护发光二极管的晶粒不受氧化的方式封闭上基板的各凹槽。
搜索关键词: 阵列 发光二极管 模组化 结构 及其 封装 方法
【主权项】:
1.一种阵列式发光二极管的模组化结构,其特征在于,包括一下基板以及一固定于该下基板的表面的上基板;该上基板具有高导热性,该上基板中成型有多个呈阵列式排列的凹槽,各凹槽分别具有一底部,各凹槽的底部分别成型有二个以上贯穿该底部的贯穿孔,各凹槽的底部分别固定至少一发光二极管的晶粒,各发光二极管的晶粒分别具有二电极,并以保护该发光二极管的晶粒不受氧化的方式封闭该上基板的各凹槽;该下基板具有高导热性,该下基板的表面成型有预定的电路布局图案,该电路布局图案对应该上基板的各凹槽的各贯穿孔分别成型有一接触电极,以利用各贯穿孔与各发光二极管的晶粒的电极导通,且该电路布局图案在该下基板的周边成型有多个连接外部的连接部,而该电路布局图案在各接触电极与各连接部间分别形成有导通的导线。
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