[发明专利]一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法无效
申请号: | 200410072300.7 | 申请日: | 2004-09-30 |
公开(公告)号: | CN1621569A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 靳正国;武卫兵;华缜 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;H01L31/0256;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明是一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法,按各物质组成分别称量各自份数的铜盐、硫氰酸盐、螯合剂,并将它们溶入溶剂水中;将溶液的pH值调节到2~7,得到电沉积用的电解质溶液;将配制好的电解质溶液经过4~72小时的静止络合均化;选用沉积基底,用有机溶剂、酸溶液、碱溶液和水分别对基底清洗;采用普通的电化学沉积工艺将静止络合均化的CuSCN薄膜沉积到基底上;电沉积过程的所用的工艺条件为温度15~75℃;沉积电位0.2~-0.65V;沉积的CuSCN薄膜经水洗和60~100℃的温度干燥后,即得到所需要的CuSCN薄膜。利用水基电沉积溶液制备CuSCN薄膜,具有电沉积溶液稳定性好、沉积效率高、成本低、污染小、适用于多种衬底材料等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 水溶液 沉积 制备 氰酸 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法,包括以下步骤:选用的原料和组分如下:水 1000份,阴离子螯合物 1~30份,铜盐 2~25份,硫氰酸盐 0.2~7.8份;按上述的各物质组成分别称量各自份数的铜盐、硫氰酸盐、螯合剂,并将它们溶入溶剂水中;将溶液的pH值调节到2~7,得到电沉积用的电解质溶液;将配制好的电解质溶液经过4~72小时的静止络合均化;选用沉积基底,用有机溶剂、酸溶液、碱溶液和水分别对基底清洗;采用普通的电化学沉积工艺将静止络合均化的CuSCN薄膜沉积到基底上;电沉积过程的所用的工艺条件为温度15~75℃;沉积电位0.2~-0.65V;沉积的CuSCN薄膜经水洗和60~100℃的温度干燥后,即得到所需要的CuSCN薄膜。
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