[发明专利]一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200410072300.7 申请日: 2004-09-30
公开(公告)号: CN1621569A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 靳正国;武卫兵;华缜 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;H01L31/0256;H01L31/18
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 王丽
地址: 300072天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明是一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法,按各物质组成分别称量各自份数的铜盐、硫氰酸盐、螯合剂,并将它们溶入溶剂水中;将溶液的pH值调节到2~7,得到电沉积用的电解质溶液;将配制好的电解质溶液经过4~72小时的静止络合均化;选用沉积基底,用有机溶剂、酸溶液、碱溶液和水分别对基底清洗;采用普通的电化学沉积工艺将静止络合均化的CuSCN薄膜沉积到基底上;电沉积过程的所用的工艺条件为温度15~75℃;沉积电位0.2~-0.65V;沉积的CuSCN薄膜经水洗和60~100℃的温度干燥后,即得到所需要的CuSCN薄膜。利用水基电沉积溶液制备CuSCN薄膜,具有电沉积溶液稳定性好、沉积效率高、成本低、污染小、适用于多种衬底材料等特点。
搜索关键词: 一种 水溶液 沉积 制备 氰酸 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法,包括以下步骤:选用的原料和组分如下:水 1000份,阴离子螯合物 1~30份,铜盐 2~25份,硫氰酸盐 0.2~7.8份;按上述的各物质组成分别称量各自份数的铜盐、硫氰酸盐、螯合剂,并将它们溶入溶剂水中;将溶液的pH值调节到2~7,得到电沉积用的电解质溶液;将配制好的电解质溶液经过4~72小时的静止络合均化;选用沉积基底,用有机溶剂、酸溶液、碱溶液和水分别对基底清洗;采用普通的电化学沉积工艺将静止络合均化的CuSCN薄膜沉积到基底上;电沉积过程的所用的工艺条件为温度15~75℃;沉积电位0.2~-0.65V;沉积的CuSCN薄膜经水洗和60~100℃的温度干燥后,即得到所需要的CuSCN薄膜。
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